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HIVE INF
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RCHIVE INFORMATION
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF372R3 MRF372R5
NOTES
相关PDF资料
相关代理商/技术参数
MRF372R5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 180W 860MHZ NI-860MOD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF373
制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF373A
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF373AL
制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 70V 3-PIN NI-360 - Bulk
MRF373ALR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 75W 860MHZ LDMOS NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF373ALR1_08
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF373ALR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 75W 860MHZ LDMOS NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF373ALSR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR LDMOS 75W NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray